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2SK1405 参数 Datasheet PDF下载

2SK1405图片预览
型号: 2SK1405
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 7 页 / 92 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1405
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
20
Reverse Drain Current I
DR
(A)
Pulse Test
16
12
8
V
GS
=
0, –5
V
10 V
4
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage
V
SD
(V)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized Transient Thermal Impedance
γ
s (t)
3
Tc = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
θch
– c (t) =
γ
s (t) •
θch
– c
θch
– c = 2.08°C/W, Tc = 25°C
P
DM
u
tp
lse
D=
PW
T
0.03
0.0
PW
T
1
1
o
sh
0.01
10
µ
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (S)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
D.U.T.
R
L
Vout
Vin
10 V
50
V
DD
= 30 V
td(on)
10%
Vout
Monitor
Vin
10%
Waveform
90%
10%
90%
tr
90%
td(off)
tf
Rev.3.00 May 15, 2006 page 5 of 6