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2SK1156 参数 Datasheet PDF下载

2SK1156图片预览
型号: 2SK1156
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 83 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1155, 2SK1156
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
10
Reverse Drain Current I
DR
(A)
Pulse Test
8
6
4
5, 10 V
V
GS
= 0, –10 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
Normalized Transient Thermal Impedance
γ
S
(t)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
T
C
= 25°C
1.0
D=1
0.5
0.3
0.1
0.2
0.1
0.05
θch–c
(t) =
γ
S
(t)
• θch–c
θch–c
= 2.50°C/W, T
C
= 25°C
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
D = PW
T
0.02
0.03
0.01
e
uls
ot P
h
1S
0.01
10
µ
100
µ
10
Pulse Width PW (S)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vout Monitor
D.U.T
R
L
Vout
50
Vin = 10 V
.
V
DD
= 30 V
.
td (on)
Vin
10 %
Waveforms
90 %
10 %
90 %
tr
90 %
td (off)
10 %
tf
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6