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    2SC4226-T1 参数 Datasheet PDF下载

    2SC4226-T1图片预览
    型号： 2SC4226-T1
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    内容描述： NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold [NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold]
    分类和应用： 晶体晶体管射频光电二极管放大器
    文件页数/大小： 8 页 / 149 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SC4226-T1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SC4226-T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC4226-T1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SC4226-T1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SC4226-T1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SC4226-T1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SC4226-T1的Datasheet PDF文件第8页  
    2SC4226
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
    A
    = +25°C)
    Parameter
    DC Characteristics
    Collector Cut-off Current
    Emitter Cut-off Current
    DC Current Gain
    RF Characteristics
    Gain Bandwidth Product
    Insertion Power Gain
    Noise Figure
    Reverse Transfer Capacitance
    f
    T
    ⏐S
    21e
    ⏐
    NF
    C
    re
    Note 2
    2
    Symbol
    Test Conditions
    MIN.
    TYP.
    MAX.
    Unit
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    Note 1
    V
    CB
    = 10 V, I
    E
    = 0
    V
    EB
    = 1 V, I
    C
    = 0
    V
    CE
    = 3 V, I
    C
    = 7 mA
    −
    −
    40
    −
    −
    110
    1.0
    1.0
    250
    μ
    A
    μ
    A
    –
    V
    CE
    = 3 V, I
    C
    = 7 mA
    V
    CE
    = 3 V, I
    C
    = 7 mA, f = 1 GHz
    V
    CE
    = 3 V, I
    C
    = 7 mA, f = 1 GHz
    V
    CB
    = 3 V, I
    E
    = 0, f = 1 MHz
    3.0
    7
    −
    −
    4.5
    9
    1.2
    0.7
    –
    –
    2.5
    1.5
    GHz
    dB
    dB
    pF
    Notes 1.
    Pulse measurement: PW
    ≤
    350
    μ
    s, Duty Cycle
    ≤
    2%
    2.
    Collector to base capacitance when the emitter grounded
    <R>
    h
    FE
    CLASSIFICATION
    Rank
    Marking
    h
    FE
    Value
    R23/Y23
    R23
    40 to 80
    R24/Y24
    R24
    70 to 140
    R25/Y25
    R25
    125 to 250
    R09DS0022EJ0200 Rev.2.00
    Jun 29, 2011
    Page 2 of 6

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