产品speci fi cation
RC5041
两个并联MOSFET
对于大电流的要求，我们建议2
并联的MOSFET ，而不是一个单一的MOS-使用
FET 。显着的优点是采用两种实现MOSFET导
FET的并联：
•
显着降低功耗。
14A的最大电流用一个MOSFET ：
P
MOSFET
=
R
DS （ ON）
） （占空比）
= (14)
2
(0.050
*
)(3.3+0.4)/(5+0.4-0.35)
= 7.2 W
与两个并联的MOSFET ：
R
DS （ ON）
） （占空比）
P
MOSFET
=
= (14/2)
2
(0.037*)(3.3+0.4)/(5+0.4-0.35)
= 1.3W / FET
*注释：R
DS （ ON）
增加了与温度。假设ř
DS （ ON）
= 0.025时
25 ℃。 ř
DS （ ON）
可以很容易地增加到0.050W在高温下时，
用一个MOSFET 。当并行使用两个MOSFET上，该
温度的影响应该不会造成第r
DS （ ON）
超越上市
37MW的最大值。
PWM / PFM
控制
DS1
+5V
DS2
VCCQP
M
HIDRV
CP
L1
RS
VO
CB
(I
2
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图5.电荷泵配置
方法2 12V栅极偏置
(I
2
初步信息
+5V
+12V
47Ω
DS2
6.2V
VCCQP
M1
HIDRV
L1
PWM / PFM
控制
DS1
RS
VO
CB
•
更少的散热要求。
同时功耗下降到大约1瓦特和
MOSFET的安装扁平的主板上，将有
大大减少散热要求。结到外壳
为MOSFET封装（ TO-220 ）热阻
典型地以2℃ / W与主板用作
优异的散热片。
•
更高的电流能力。
随着控制的热管理，这种机载
的DC-DC转换器能够提供的负载电流高达
14.5A没有问题的。
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图6. 12V栅极偏置配置
MOSFET栅极偏置
MOSFET能够被偏置通过以下两种方法之一：充电
泵和12V的栅极偏置。
方法1.电荷泵（或引导）方法
图7采用外部12V电源偏置VCCQP 。一个47Ω
电阻器用于限制瞬态电流进入VCCQP
引脚。 1μF电容滤波器用于滤波器的VCCQP支持
层。这种方法提供了较高的栅极偏置电压提供给
的MOSFET ，因此，降低了第r
SD （ON）的
并导致
在MOSFET中的功率损耗。图8示出了如何
R
DS （ ON）
急剧下降为V
GS
增加。一个6.2V
齐纳（ DS2 ）用于夹持在V的电压
CCQP
到A
最大12V和确保最大绝对
IC的电压不会被超过。
0.1
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
1.5 2
2.5 3
3.5 4
5
6
7
8
9
V
GS
图5采用一个电荷泵提供栅极偏压。 Capac-
itor CP是电荷泵部署到升压的电压
在RC5041输出驱动器。当MOSFET截止，
MOSFET的源是在-0.6V 。 VCCQP充电
通过肖特基二极管至4.5V 。因此，电容器CP为
充电至5V 。当MOSFET导通时，源
MOSFET的电压为5V 。电容电压
如下，并因此提供了一个电压时VCCQP等于
10V 。肖特基需要提供的电荷的路径
当MOSFET关断。肖特基反向偏置时
在VCCQP去到10V 。电荷泵电容， CP ，
需要是具有高Q值和高频电容器。一个1μF
陶瓷电容，在这里建议。
R
DS （ ON）
Ω
10 11
图7. R（ DS ）与V
GS
对于典型的MOSFET
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RAYTHEON [ RAYTHEON COMPANY ]
