RC5041
产品speci fi cation
设计考虑和
组件选择
MOSFET选择
此应用程序需要N沟道逻辑电平Enhance-
换货模式场效应晶体管。所需的特性
如下：
•低静态漏源导通电阻，
R
DS （ ON）
< 20毫欧（越低越好）
•
•
•
•
低栅极驱动电压，V
GS
＆ LT ; 4V
功率封装的低热阻
排水20A最小的额定电流
漏源电压> 15V 。
导通电阻（R
DS （ ON）
）是主要的参数
MOSFET的选择。的导通电阻确定功率
MOSFET的功耗，进而显着
影响DC- DC转换器的EF网络效率。表3
提供合适的MOSFET，用于这种应用的列表。
表3. MOSFET选型表
初步信息
R
DS ，ON
(mΩ)
制造商&型号＃
Megamos
MiP30N03A
富士
2SK1388
诠释。整流器
IRL3803
诠释。整流器
IRL2203
诠释。整流器
IRL3103
NS
NDP706A
NEC
2SK2941
NEC
2SK2984
NEC
µPA1703
诠释。整流器
IRF7413A
诠释。整流器
IRF7413
诠释。整流器
IRL3103A
条件
1
V
GS
= 4.5V,
I
D
= 6A
V
GS
= 4V,
I
D
= 20A
V
GS
= 4.5V,
I
D
= 59A
V
GS
= 4.5V,
I
D
= 50A
V
GS
= 4.5V,
I
D
= 28A
V
GS
= 5.0V,
I
D
= 40A
V
GS
= 4.0V,
I
D
= 18A
V
GS
= 4.0V,
I
D
= 20A
V
GS
= 4.0V,
I
D
= 5A
V
GS
= 4.5V,
I
D
= 3.3A
V
GS
= 4.5V,
I
D
= 3.7A
V
GS
= 4.5V,
I
D
= 28A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
8.2
—
16
—
13
20
22
—
10.5
—
12
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
16
—
25
37
6.1
马克斯。
25
38
37
56
9
14
10
16
19
29
15
24
33
50
15
23
17
26
20
30
18
27
19
29
D
2
PAK
SO-8
SO-8
SO-8
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220
包
TO-220
热
阻力
Φ
JA
= 62
Φ
JA
= 75
Φ
JA
= 62
Φ
JA
= 62
Φ
JA
= 62
Φ
JA
= 62
Φ
JA
= 83
Φ
JA
= 83
Φ
JA
= 125
Φ
JA
= 125
Φ
JA
= 125
Φ
JA
= 40
注意：
1. R
DS （上
在T ）值
J
= 125 ℃，大部分设备是从由所提供的典型工作曲线外推
制造商和为近似值。只有美国国家半导体提供在T最大值
J
= 125°C.
8
RAYTHEON [ RAYTHEON COMPANY ]
