WM72016 - 安全F-RAM与根2 RFID和串行端口
DSPI
地址
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Gen-2
存储银行
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Gen-2
地址
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字
指针
(EBV8)
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0x876A
0x876B
描述
16K内存： END
（ BLK_SIZE = 2个字/块）
16K内存： END
（ BLK_SIZE = 4个字/块）
16K内存： END
（ BLK_SIZE = 8个字/块）
16K内存： END
（ BLK_SIZE = 16个字/块）
16K内存： END
（ BLK_SIZE = 32字/块）
（ BLK_SIZE > 32字/块）
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
注：当通过DSPI串行端口访问内存，必须小心，以确保保留
存储关键参数的装置的操作所需的存储器不被改变。
GEN2 WM72016记忆库
该RFID存储器区块驻留在Ramtron的“S非易失性F-RAM存储器。 F-RAM带来很多好处
该WM72016 。第一个好处是存储器本身的大小 - 16k的比特，其中大部分的可用
用户存储库。 F- RAM “S上的Gen2协议的影响，写的时候是最显着的看到
WM72016内存。不同于EEPROM存储器，无电荷泵或存储器浸泡时间是必需的写入
WM72016内存造成零时间，零功率损失。在写周期结束
随即，允许审讯继续写更多的数据到内存中，没有时间损失
由于内存本身的费用。 F-RAM和EEPROM存储器之间的比较示于图
和命令的访问顺序来写一个数据字到内存中。相同的读写命令
顺序被发送到WM72016和基于EEPROM的RFID 。的EEPROM的时间的影响
处罚所示的协议的范围内。
修订版1.4
2011年5月
第32 5
RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
