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WM72016-NBSD-DSTR 参数 Datasheet PDF下载

WM72016-NBSD-DSTR图片预览
型号: WM72016-NBSD-DSTR
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内容描述: [Memory Circuit, PDSO8, 3 X3 MM, 0.65 MM PITCH, GREEN, UDFN-8]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 32 页 / 445 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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初步
WM72016
16Kbit的安全F-RAM存储器,带有根2 RFID
访问&串行端口直接内存访问
描述
该WM72016是一个RFID应答器IC与
非易失性存储器采用了先进的
铁电工艺。铁电随机存取
存储器,或F -RAM是非易失性的和进行
读取和写入像RAM 。它提供可靠的数据
保持了20年,同时消除了
复杂性,开销和系统级可靠性
造成EEPROM和其它非易失性问题
回忆。
不同于EEPROM的“结束时, WM72016写操作
是零功率 - 没有电源或速度溢价
支付执行写入到WM72016如
相比于读出功率和速度。操作
存储器是完全对称的:它有一个等效的读
写范围。
该WM72016 “的RFID接口兼容
在EPC 1类代- 2 UHF RFID协议
对于在860 MHz的通信 - 960兆赫,
版本1.2.0规范的RFID空中接口。
该WM72016是提供了双芯片配置
各种形式:标准的IC封装或晶圆。所有
本文所讨论的规格都适用于
结合芯片组操作。
特点
16 Kbit的铁电的非易失性RAM
组织为1024 ×16位
非常高读/写耐用性( > 10
14
)
20年的数据保留
伽玛稳定性证明> 30千戈瑞
对称读/写操作
先进的高可靠性铁电工艺
接口和安全功能
1 EPC Gen2的类( ISO18000-6C ) RFID
兼容接口( 1.2.0版本)
192位内存: 96位电子产品
代码™ ( EPC ) , 32位访问密码, 32位
KILL密码, 64位TID存储器(厂
编程和锁定)
库存方面,读,写和擦除功能
KILL命令
块永久锁命令
访问命令
UHF载波频率从860 MHz到960
ISM频段, ASK解调
标签到读写器链路频率高达640Kbps到
读写器到标签的渐近传输速率高达
以128Kbps的
FM0支持MMS和数据编码格式
串行端口接口
自定义功能
存储的地址指针,以提高数据写入
速度
存储的地址指针锁定
块写命令
变量用户内存块的大小支持
中断产生
超低功耗运行
内存读/写灵敏度(典型值) < -6 dBm的
行业标准配置
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
晶圆凸点
8引脚UDFN
WM72016
RFID标签
与F-RAM
RFID
读者
(Class-1
Gen-2)
图1.系统框图
这是一个已经固定的目标规格但有一个产品
如有变更,未决表征结果。
修订版1.4
2011年5月
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器,科罗拉多斯普林斯,CO 80921
( 800 ) 545 - FRAM , ( 719 ) 481-7000
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