FM24CL64-DG 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FM24CL64-DG
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内容描述：	64Kb的串行3V FRAM存储器 [64Kb Serial 3V FRAM Memory]
分类和应用：	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小：	13 页 / 115 K
品牌：	RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]

FM24CL64

内存操作

SLAVE

设备

SELECT

A1 A0 R / W

图4.从地址

寻址概述

之后， FM24CL64 （如接收器）确认

设备地址，主机可以放置记忆

地址总线用于写入操作上。地址

需要两个字节。第一是MSB。自从

设备只使用13位地址，值了

高三位是“不关心” 。继MSB

是LSB与剩余的8个地址位。该

地址值是内部锁存。每个访问

使锁存的地址值被增加

自动。当前的地址是是值

在闩锁保持 - 无论是新写入的值或

处理后的最后一次访问。当前地址

将于只要动力仍然存在，或直到

新的值被写入。读操作总是使用当前

地址。随机读地址可以通过加载

开始写入操作，如下所述。

每个数据字节发送之后，刚好在

确认时， FM24CL64递增内部

地址锁存。这使得下一个连续字节到

在不具有附加的寻址访问。后

最后一个地址（ 1FFFh的）到达时，地址锁存器

翻转到0000H 。没有限制到数

可以与一个单一的被访问的字节的读或写

操作。

数据传输

地址信息发送完毕后，

总线主控器和之间的数据传输

FM24CL64就可以开始。用于读出操作的

FM24CL64将放置8个数据位的总线上，然后等待

为感谢来自主站。如果

确认时， FM24CL64将转移

下一个连续字节。如果确认没有发送，

该FM24CL64将结束读操作。对于

写操作， FM24CL64将接受8个数据

从主站位，然后发送一个应答。所有

数据传送发生时最高有效位（最显著位）在前。

该FM24CL64被设计的方式来操作

非常类似于其他的2线接口存储器

产品。主要的差别从结果

FRAM的性能更高的写入能力

技术。这些改进导致一些

该FM24CL64和一个类似的差异

在配置写入EEPROM 。该

完整的操作为写入和读取的

解释如下。

写操作

所有的写操作以一个设备地址，然后

存储器地址。总线主机表示写

通过设置设备地址的低位运行

一0解决后，总线主机发送的每个

数据的字节的存储器和存储器

产生一个应答状态。任何数量的

连续的字节可以被写入。如果该结束

地址范围内达到时，地址

计数器将返回从1FFFh的为0000H 。

不像其他的非易失性存储器技术，

没有有效的写操作延迟FRAM 。自

底层的读写存取时间

存储器是相同的，用户遇到无延迟

通过该总线。发生在整个存储器周期

时间少于单个总线时钟。因此，任何

操作包括读或写可发生

立即写入以下。承认

投票站，与EEPROM与使用的技术

确定是否一个写入完成是不必要的，

将始终返回就绪状态。

在内部，经过实际的内存写操作

数据位被传输。这将是前完成

在应答中发送。因此，如果用户

希望中止写不改变内存

的内容，应该是这样的使用开始或停止

前8条件

数据位。该FM24CL64

不使用页面缓冲。

存储阵列可以使用写保护

WP引脚。设置WP引脚为高电平状态

）将写保护的所有地址。该

FM24CL64将不承认数据字节是

写保护的地址。此外，该

地址计数器不会增加，如果写操作

试图将这些地址。设置WP到低

国家（V

）将停用此功能。 WP拉

倒在内部。

下面的图5显示了两个单字节和

多写。

第3.1版

2005年3月

第13个5

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