Internet Data Sheet
HYI25D512160C[C/E/F/T]
512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM
TABLE 22
IDD Specification
–6
–5
Unit
Note
DDR333
Typ.
DDR400B
Typ.
Symbol
Max.
Max.
1)2)3)
1)2)3)
1)3)
IDD0
70
80
85
75
90
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
IDD1
95
90
110
4.6
30
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
1.1
21
4.6
25
1.1
25
1)3)
1)3)
15
22
17
23
1)3)
11
15
12
16
1)3)
33
40
38
45
1)3)
95
115
120
175
5
110
115
145
1.6
210
135
135
190
5
1)3)
100
130
1.6
190
1)3)
1)3)4)
1)3)
IDD6
IDD7
230
250
1) Test conditions for typical values: VDD = 2.5 V (DDR333), VDD = 2.6 V (DDR400), TA = 25 °C, test conditions for maximum values: VDD
=
2.7 V, TA = 10 °C
2) IDD specifications are tested after the device is properly initialized and measured at 200 MHz
3) Input slew rate = 1 V/ns
4) Enables on-chip refresh and address counters
Rev. 1.0, 2006-11
29
11082006-S9OT-UFSN
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
