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HYB25D512160BE-5 参数 Datasheet PDF下载

HYB25D512160BE-5图片预览
型号: HYB25D512160BE-5
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内容描述: [DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66]
分类和应用: 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 37 页 / 1337 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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Internet Data Sheet  
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T](L)  
Double-Data-Rate SDRAM  
Ball#/Pin#  
Name  
Pin  
Type  
Buffer  
Type  
Function  
Data Strobe ×8 organisation  
E3, 51 DQS I/O  
SSTL  
Data Strobe  
Note: Output with read data, input with write data. Edge-aligned with  
read data, centered in write data. Used to capture write data.  
Data Mask ×8 organization  
F3, 47 DM  
I
SSTL  
Data Mask  
Note: DM is an input mask signal for write data. Input data is masked  
when DM is sampled HIGH coincident with that input data during  
a Write access. DM is sampled on both edges of DQS. Although  
DM pins are input only, the DM loading matches the DQ and DQS  
loading.  
Data Signals ×16 organization  
A8, 2  
DQ0  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
SSTL  
SSTL  
SSTL  
SSTL  
SSTL  
SSTL  
SSTL  
SSTL  
SSTL  
SSTL  
SSTL  
SSTL  
SSTL  
SSTL  
SSTL  
SSTL  
Data Signal 15:0  
B9, 4  
DQ1  
B7, 5  
DQ2  
C9, 7  
DQ3  
C7, 8  
DQ4  
D9, 10  
D7, 11  
E9, 13  
E1, 54  
D3, 56  
D1, 57  
C3, 59  
C1, 60  
B3, 62  
B1, 63  
A2, 65  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
DQ9  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
DQ15  
Data Strobe ×16 organization  
E3, 51  
UDQS  
I/O  
SSTL  
SSTL  
Data Strobe Upper Byte  
Data Strobe Lower Byte  
E7, 16  
LDQS  
I/O  
Data Mask ×16 organization  
F3, 47  
UDM  
LDM  
I
I
SSTL  
SSTL  
Data Mask Upper Byte  
Data Mask Lower Byte  
F7, 20  
Power Supplies  
F1, 49  
VREF  
AI  
I/O Reference Voltage  
A9, B2, C8, D2, VDDQ  
E8, 3, 9, 15, 55,  
61  
PWR  
I/O Driver Power Supply  
A7, F8, M7, 1, VDD  
PWR  
Power Supply  
18, 33  
Rev. 1.70, 2007-11  
9
03062006-PFFJ-YJY2