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HYB18T512160B2F-3.7 参数 Datasheet PDF下载

HYB18T512160B2F-3.7图片预览
型号: HYB18T512160B2F-3.7
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内容描述: 512兆位双数据速率 - 双SDRAM的 [512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 69 页 / 3853 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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Internet Data Sheet  
HY[B/I]18T512[40/80/16]0B2[C/F](L)  
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM  
5.6  
Overshoot and Undershoot Specification  
This chapter contains overshoot and undershoot specification.  
TABLE 36  
AC Overshoot / Undershoot Specification for Address and Control Pins  
Parameter  
DDR2-400  
DDR2-533  
DDR2-667  
DDR2-800  
Unit  
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area  
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area  
Maximum overshoot area above VDD  
0.9  
0.9  
0.9  
0.9  
V
0.9  
0.9  
0.9  
0.9  
V
1.33  
1.33  
1.00  
1.00  
0.80  
0.80  
0.66  
0.66  
V.ns  
V.ns  
Maximum undershoot area below VSS  
FIGURE 6  
AC Overshoot / Undershoot Diagram for Address and Control Pins  
0D[LPXPꢌ$PSOLWXGHꢌꢌ  
9ROWVꢌꢎ9ꢏ  
2YHUVKRRWꢌ$UHD  
9''  
966  
8QGHUVKRRWꢌ$UHD  
0D[LPXPꢌ$PSOLWXGHꢌꢌ  
7LPHꢌꢎQVꢏ  
03(7ꢀꢆꢀꢀ  
Rev. 1.12, 2007-05  
36  
10062006-YPTZ-CDR7  
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