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HYB18T512160B2F-3.7 参数 Datasheet PDF下载

HYB18T512160B2F-3.7图片预览
型号: HYB18T512160B2F-3.7
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内容描述: 512兆位双数据速率 - 双SDRAM的 [512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 69 页 / 3853 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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Internet Data Sheet  
HY[B/I]18T512[40/80/16]0B2[C/F](L)  
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM  
Field  
Bits  
Type1)  
Description  
RDQS  
11  
w
Read Data Strobe Output (RDQS, RDQS)  
0B  
1B  
RDQS Disable  
RDQS Enable  
DQS  
10  
w
w
Complement Data Strobe (DQS Output)  
0B  
1B  
DQS Enable  
DQS Disable  
OCD  
[9:7]  
Off-Chip Driver Calibration Program  
Program  
000B OCD OCD calibration mode exit, maintain setting  
001B OCD Drive (1)  
010B OCD Drive (0)  
100B OCD Adjust mode  
111B OCD OCD calibration default  
AL  
[5:3]  
w
Additive Latency  
Note: All other bit combinations are illegal.  
000B AL 0  
001B AL 1  
010B AL 2  
011B AL 3  
100B AL 4  
101B AL 5  
110B AL 6  
RTT  
6,2  
w
Nominal Termination Resistance of ODT  
Note: See Table 23 “ODT DC Electrical Characteristics” on Page 29  
00B RTT (ODT disabled)  
01B RTT 75 Ohm  
10B RTT 150 Ohm  
11B RTT 50 Ohm  
DIC  
DLL  
1
0
w
w
Off-chip Driver Impedance Control  
0B  
1B  
DIC Full (Driver Size = 100%)  
DIC Reduced  
DLL Enable  
0B  
1B  
DLL Enable  
DLL Disable  
1) w = write only register bits  
Rev. 1.12, 2007-05  
21  
10062006-YPTZ-CDR7  
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