TOP252-262
VUV
VLINE
0 V
S14
S14
S15
S13 S12
S0
S15 S14
S13 S12
S0
S15
S13 S12
S0
S15
S15
5.8 V
4.8 V
VC
0 V
VDRAIN
0 V
VOUT
0 V
1
2
3
2
4
Note: S0 through S15 are the output states of the auto-restart counter
PI-4531-121206
图 11. (1) 上电 (2) 正常工作 (3) 自动重启动 (4) 电源关断时的典型波形
M封装）或多功能（M）引脚（P和G封装）和经整流的直流高
压总线间的电阻，流限随线电压的增高而降低，可实现真正的
不受电压变化影响的功率限定工作。使用RCD箝位电路时，这
种功率限制技术能降低高压输入时的最大箝位电压。能实现更
高反射电压的设计并降低箝位损耗。
范围更宽（UV下限阈值）。工作时，如果在电源未失调的情况
下达到UV下限，则此器件将保持关断，直到UV达到上限为止。
如果电源在达到UV下限前电源失调，则器件将自动重启动。
在每个自动重启动周期末(S15)，UV比较器会被启动。此时若没
有超过UV上限值，则MOSFET在下一个周期内关断（见图8）。
UV特性可单独使用，而与OV特性无关。
输出MOSFET刚导通时，前沿消隐电路将流限比较器抑制
片刻。在设置前沿消隐时间后，如果电源设计正确，电源初级
侧电容产生的电流尖峰及次级端整流器的反向恢复时间不会引
起开关脉冲的提前误关断。
线电压过压关断(OV)
用于设置UV欠压阈值的电阻也用于设置过压保护的阈值，当超过
阈值时就会立即强制TOPSwitch-HX停止开关（完成当前开关周期
后）。如果此情况持续至少100 µs后，TOPSwitch-HX输出将被强
制进入关断状态。但与TOPSwitch-GX不同的是，当输入电压恢复
正常时（OV阈值有少量迟滞以防止噪声引发关断），状态调节器
会设置为S13，并强制TOPSwitch-HX在尝试再次开关之前先通过
整个自动重启动序列。从图12可见OV和UV的比率设为4.5，当
MOSFET关断时，由于没有反射电压和漏电感尖峰电压叠加到漏
极，经整流的直流高压抗浪涌冲击的能力增大到MOSFET的额定
电压(700 V)。OV功能可以被屏蔽，而与UV功能应用无关。
在前沿消隐时间过后不久，流限便会下降。这是由MOSFET的
动态特性决定的。在电源启动及故障情况下，控制器通过降低
开关频率来防止过高的漏极电流出现。
输入欠压检测(UV)
在上电时，UV令TOPSwitch-HX在输入电压达到欠压阈值前保持
关断；在断电时，UV防止它在输出失调后自动重启动。在断电
时，UV防止它在输出失调后自动重启动。在待机电源等应用
中，它能防止关断时由输入大容量电容缓慢放电而产生的
干扰。上电时，UV阈值由连接在电压监测（Y、E和M封装）或
多功能引脚（P和G封装）和经整流的高压总线间单电阻设定。
电源接通后，UV阈值降到初始阈值的40%，使输入电压的工作
为了降低TOPSwitch-HX设计的空载输入功率，V引脚（或P封装
的M引脚）工作电流很低。这就需要在设计PCB时认真考虑布局
因素，以避免噪声耦合。连接至V引脚的走线及元件都不应该与
承载开关电流的任何走线相邻。这些包括漏极、箝位网络、偏
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版本D 08/08
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