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型号: SI4800
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内容描述: N沟道增强模式音响场效晶体管 [N-channel enhancement mode field-effect transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 239 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
Si4800
N沟道增强模式音响场效晶体管
03aa11
03aa19
120
PDER
(%)
100
120
伊德尔
(%)
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
o
TAMB ( C)
0
0
25
50
75
100
125
150
175
o
TAMB ( C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1,归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
102
ID
(A)
10
导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
1毫秒
03af84
10毫秒
1
100毫秒
P
10-1
δ
=
tp
T
特区
10 s
tp
T
t
10-2
10-1
1
10
VDS ( V)
102
T
AMB
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 08412
©飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品数据
牧师01 - 2001年7月13日
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