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SI4800 参数 Datasheet PDF下载

SI4800图片预览
型号: SI4800
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内容描述: N沟道增强模式音响场效晶体管 [N-channel enhancement mode field-effect transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 239 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
Si4800
N沟道增强模式音响场效晶体管
5.快速参考数据
表2:
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 〜150
°C
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10 s
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10 s
V
GS
= 10 V ;我
D
= 9 A;吨
j
= 25
°C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 7 A;牛逼
j
= 25
°C
典型值
15.5
27.5
最大
30
9
2.5
150
18.5
33
单位
V
A
W
°C
mΩ
mΩ
漏极 - 源极电压(直流)
漏电流
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 :限制值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
漏极 - 源极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源(二极管正向)电流
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10 s
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10 s;
图2
3
T
AMB
= 70
°C;
脉冲;吨
p
10 s;
图2
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
µs;
科幻gure 3
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10 s;
图1
T
AMB
= 70
°C;
脉冲;吨
p
10 s;
图1
条件
T
j
= 25 〜150
°C
−55
−55
最大
30
±20
9
7
40
2.5
1.6
+150
+150
2.3
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
A
源极 - 漏极二极管
9397 750 08412
©飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品数据
牧师01 - 2001年7月13日
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