飞利浦半导体
产品speci fi cation
双P沟道增强
模式的MOS晶体管
PHP225
手册， halfpage
6
MBE156
手册， halfpage
10
4
MDA165
IS
(A)
4
RDSON
(mΩ)
(1) (2)(3) (4) (5)
10
3
(1)
(2)
(3)
2
0
0
0.5
1
1.5
V SD （ V）
V
GD
= 0.
(1) T
j
= 150
°C.
(2) T
j
= 25
°C.
(3) T
j
=
−55 °C.
2
10
2
0
−2
−4
−6
−8
−10
VGS （ V）
−V
DS
≥ −I
D
×
R
DSON
; T
j
= 25
°C.
(1) I
D
=
−0.1
A.
(2) I
D
=
−0.5
A.
(3) I
D
=
−1
A.
(4) I
D
=
−2.3
A.
(5) I
D
=
−4.5
A.
Fig.9
Fig.8
源电流作为源极 - 漏极的功能
二极管的正向电压。
漏极 - 源极导通电阻为
栅极 - 源极电压的函数;典型
值。
手册， halfpage
1.2
MBE138
手册， halfpage
1.8
MBE146
k
1.1
k
1.6
(1)
(2)
1.0
1.4
0.9
1.2
0.8
1.0
0.7
0.8
0.6
50
0
50
100
T J （ C）
V
gsth
在T
j
k
=
-------------------------------------
-
V
gsth
在25℃下
典型的V
gsth
在我
D
= 1毫安; V
DS
=V
GS
= V
gsth
.
o
150
0.6
50
0
50
100
R
DSON
在T
j
k
=
----------------------------------------
-
R
DSON
在25
°C
典型ř
DSON
于：
(1) I
D
=
−1
A; V
GS
=
−10
V.
(2) I
D
=
−0.5
A; V
GS
=
−4.5
V.
T J （ C）
o
150
的栅极 - 源极10所示的温度系数
阈值电压。
的漏源图11温度系数
导通电阻。
1997年6月20日
7
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
