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PHP225图片预览
型号: PHP225
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内容描述: 双P沟道增强型MOS晶体管 [Dual P-channel enhancement mode MOS transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 123 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
双P沟道增强
模式的MOS晶体管
,
g
PHP225
MBE144
手册, halfpage
600
10
ID
(A)
8
MBE154
VGS =
10 V
7.5 V
6V
C
(PF )
400
6
ç国际空间站
5V
4.5 V
4
200
科斯
4V
2
ç RSS
3.5 V
3V
2.5 V
0
2
4
6
8
10
V DS ( V)
12
0
0
10
20
V DS ( V)
30
0
V
GS
= 0.
T
j
= 25
°C.
T
j
= 25
°C.
Fig.4
电容随着漏 - 源的函数
电压;典型值。
图5输出特性;典型值。
MBE157
手册, halfpage
10
手册, halfpage
10
MBE145
ID
(A)
8
VGS
(V)
8
6
6
4
4
2
2
0
0
2
4
6
V GS ( V)
8
0
0
2
4
6
8
10
Q G( NC )
V
DS
=
−10
V.
T
j
= 25
°C.
V
DD
=
−15
V.
I
D
=
−2.3
A.
Fig.7
图6的传输特性;典型值。
栅极 - 源极电压作为总的函数
栅极电荷。
1997年6月20日
6