飞利浦半导体
产品speci fi cation
互补增强模式
MOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
每FET
V
DS
漏极 - 源极电压(直流)
N沟道
P沟道
V
GS
I
D
栅极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
N沟道
P沟道
I
DM
峰值漏极电流
N沟道
P沟道
P
合计
总功耗
T
s
= 80
°C;
注3
T
AMB
= 25
°C;
注4
T
AMB
= 25
°C;
注5
T
AMB
= 25
°C;
注6
T
英镑
T
j
笔记
1. T
s
是在漏极引线的焊接点的温度。
2.脉冲宽度和占空比限制的最高结温。
储存温度
工作结温
注2
−
−
−
−
−
−
−55
−55
T
s
= 80
°C;
注1
−
−
−
−
−
参数
条件
分钟。
PHC2300
马克斯。
单位
300
−300
±20
340
−235
1.4
−0.9
1.6
1.8
0.9
1.2
+150
+150
V
V
V
mA
mA
A
A
W
W
W
W
°C
°C
每个MOS晶体管3.最大允许耗散。 (因此,这两个设备可以被装载到1.6瓦,在同一时间)。
每个MOS晶体管4最大允许耗散。根据印刷电路板用的R值
TH A- TP
(环境
为配合点27.5 K / W ) 。
每个MOS晶体管5.最大允许耗散。根据印刷电路板用的R值
TH A- TP
(环境
为配合点90 K / W ) 。
如果只有一个MOS晶体管的功耗6.最大允许耗散。基于与一印刷电路板的值
的R
TH A- TP
(环境,以配合点) 90 K / W 。
1997年10月24日
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