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PHC2300 参数 Datasheet PDF下载

PHC2300图片预览
型号: PHC2300
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内容描述: 互补增强型MOS晶体管 [Complementary enhancement mode MOS transistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 16 页 / 161 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
互补增强模式
MOS晶体管
特点
高速开关
无二次击穿。
应用
在电话机通用线路接口
继电器,高速和线路变压器驱动程序。
描述
一个N沟道和一个P沟道增强型
MOS管采用8引脚塑料SOT96-1 ( SO8 )
封装。
小心
该器件采用防静电包装中提供。
栅源输入必须加以保护,防止静电
运输或装卸过程中排出。
8
PHC2300
钉扎 - SOT96-1 ( SO8 )
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
s
1
g
1
s
2
g
2
d
2
d
2
d
1
d
1
描述
源1
门1
源2
门2
排水2
排水2
排水1
排水1
手册, halfpage
d1 d1
5
d2 d2
1
4
s1
g1
s2
g2
MAM118
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
符号
每FET
V
DS
漏极 - 源极电压(直流)
N沟道
P沟道
V
GS
V
gsth
栅极 - 源极电压(直流)
门源阈值电压
N沟道
P沟道
I
D
漏电流( DC )
N沟道
P沟道
R
DSON
漏源导通电阻
N沟道
P沟道
P
合计
总功耗
V
GS
= 10 V ;我
D
= 170毫安
V
GS
=
−10
V ;我
D
=
−115
mA
T
s
= 80
°C
8
17
1.6
W
V
DS
= V
GS ;
I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
=
−1
mA
T
s
= 80
°C
340
−235
mA
mA
0.8
−0.8
2
−2
300
−300
±20
V
V
V
V
V
V
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
1997年10月24日
2