IRF840 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF840
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内容描述：	功率MOS晶体管额定雪崩能量 [PowerMOS transistor Avalanche energy rated]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 62 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

额定雪崩能量

IRF840

IF ，源极 - 漏极二极管的电流（安培）

VGS = 0 V

PHP8N50

栅 - 源电压，V GS （V）的

ID = 8.5A

TJ = 25℃

100V

VDD = 400 V

200V

PHP8N50E

150 C

TJ = 25℃

栅极电荷QG （ NC）

0.2

0.4

0.6

0.8

VSDS ，源极 - 漏极电压（伏特）

1.2

1.4

图13 。典型导通栅极电荷特性。

= F （Q

） ;参数V

开关时间（纳秒）

VDD = 250 V

VGS = 10 V

RD = 30欧姆

TJ = 25℃

PHP8N50

图16 。源极 - 漏极二极管特性。

= F（V

SDS

） ;参数T

1000

非重复性雪崩电流， IAS （ A）

25 C

TJ前雪崩= 125℃

100

TD （关闭）

VDS

TD （上）

RG ，栅极电阻（欧姆）

PHP8N50E

1E-05

1E-04

雪崩的时候， TP （S ）

1E-03

1E-02

0.1

1E-06

图14 。典型的开关时间;吨

D（上）

, t

D（关闭）

, t

= F （r

)

图17 。最大允许非重复

雪崩电流（I

）与雪崩时间（t

);

非钳位感性负载

1.15

1.1

1.05

归一化漏源击穿电压

V（ BR ） DSS @ TJ

V（ BR ） DSS @ 25℃

最大重复性雪崩电流， IAR （ A）

TJ前雪崩= 25℃

0.95

0.9

0.85

-100

125 C

0.1

PHP8N50E

0.01

1E-06

-50

TJ ，结温（ C）

100

150

1E-05

1E-04

雪崩的时候， TP （S ）

1E-03

1E-02

图15 。归一化漏源击穿电压;

（ BR ） DSS

（ BR ） DSS 25 ˚C

= F （T

)

图18 。最大允许重复雪崩

电流（I

）与雪崩时间（t

)

1999年3月

启1.000

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