IRF840 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF840
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内容描述：	功率MOS晶体管额定雪崩能量 [PowerMOS transistor Avalanche energy rated]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 62 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

额定雪崩能量

IRF840

ID ，漏极电流（ AMPS ）

VDS > （内径）× RDS （ ON）最大值

PHP8N50

VGS （ TO ） / V

马克斯。

典型值。

分钟。

TJ = 150℃

TJ = 25℃

VGS ，栅源电压（伏）

-60

-40

-20

TJ / C

100

120

140

图7 。典型的传输特性。

= F（V

） ;参数T

政府飞行服务队，跨导（ S）

VDS > （内径）× RDS （ ON）最大值

TJ = 25℃

150 C

PHP8N50

图10 。栅极阈值电压。

GS （ TO ）

= F （T

） ;条件：我

= 0.25毫安; V

= V

ID / A

亚阈值传导

1E-01

1E-02

1E-03

典型值

98 %

1E-04

1E-05

1E-06

ID ，漏电流（ A）

VGS / V

图8 。典型的跨导。

= F（我

） ;参数T

归一化的RDS（ON ） = F （TJ）

图11 。亚阈值漏电流。

= F（V

GS ）

;条件：T已

= 25 ℃; V

= V

PHP8N50

10000

结电容（PF ）

西塞

1000

100

科斯

CRSS

-60

-40

-20

40 60

TJ / C

100 120 140

100

VDS ，漏极 - 源极电压（伏）

1000

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

DS （ ON） 25 ˚C

= F （T

); I

= 4.25 A; V

= 10 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

C = F（V

） ;条件： V

= 0 V ; F = 1 MHz的

1999年3月

启1.000

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