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    IRF730 参数 Datasheet PDF下载

    IRF730图片预览
    型号： IRF730
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOS晶体管额定雪崩能量 [PowerMOS transistor Avalanche energy rated]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 61 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号IRF730的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF730的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF730的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF730的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF730的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF730的Datasheet PDF文件第7页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    功率MOS晶体管
    额定雪崩能量
    热阻
    符号参数
    R
    日J- MB
    R
    日J-一
    热阻结
    安装基座
    热阻结
    到环境
    条件
    分钟。
    -
    在自由空气
    -
    IRF730
    典型值。马克斯。单位
    -
    60
    1
    -
    K / W
    K / W
    电气特性
    T
    j
    = 25 C除非另有说明
    符号参数
    漏源击穿
    电压
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /漏极 - 源极击穿
    ∆T
    j
    电压温度
    系数
    R
    DS （ ON）
    漏源导通电阻
    V
    GS （ TO ）
    栅极阈值电压
    g
    fs
    正向跨导
    I
    DSS
    漏极 - 源极漏电流
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    Q
    G（ TOT ）
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    L
    d
    L
    d
    L
    s
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    条件
    V
    GS
    = 0 V ;我
    D
    = 0.25毫安
    V
    DS
    = V
    GS
    ; I
    D
    = 0.25毫安
    分钟。
    400
    -
    -
    2.0
    2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。马克斯。单位
    -
    0.1
    0.7
    3.0
    4
    1
    30
    10
    52
    3
    26
    12
    33
    93
    42
    3.5
    4.5
    7.5
    620
    108
    63
    -
    -
    1
    4.0
    -
    25
    250
    200
    62
    5
    30
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    V
    %/K
    Ω
    V
    S
    µA
    µA
    nA
    nC
    nC
    nC
    ns
    ns
    ns
    ns
    nH
    nH
    nH
    pF
    pF
    pF
    V
    GS
    = 10 V ;我
    D
    = 3.6 A
    V
    DS
    = V
    GS
    ; I
    D
    = 0.25毫安
    V
    DS
    = 30 V ;我
    D
    = 3.6 A
    V
    DS
    = 400 V; V
    GS
    = 0 V
    V
    DS
    = 320 V; V
    GS
    = 0 V ;牛逼
    j
    = 125 ˚C
    栅极 - 源极漏电流V
    GS
    =
    ±30
    V; V
    DS
    = 0 V
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极（米勒）电荷
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    内部排水电感
    内部排水电感
    内部源极电感
    输入电容
    输出电容
    反馈电容
    I
    D
    = 7.2 ; V
    DD
    = 320 V; V
    GS
    = 10 V
    V
    DD
    = 200 V ; ř
    D
    = 27
    Ω;
    R
    G
    = 12
    Ω
    从测得的标签，模具中心
    从测得的漏导致的模具中心
    从源铅源测量
    焊盘
    V
    GS
    = 0 V; V
    DS
    = 25 V ; F = 1 MHz的
    源极 - 漏极二极管额定值和特性
    T
    j
    = 25 C除非另有说明
    符号参数
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲电流源（体
    二极管）
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    条件
    T
    mb
    = 25˚C
    T
    mb
    = 25˚C
    I
    S
    = 7.2 ; V
    GS
    = 0 V
    I
    S
    = 7.2 ; V
    GS
    = 0 V ;的di / dt = 100 A / μs的
    分钟。
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。马克斯。单位
    -
    -
    -
    270
    3.3
    7.2
    29
    1.2
    -
    -
    A
    A
    V
    ns
    µC
    1999年3月
    2
    启1.000

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