IRF730 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF730
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内容描述：	功率MOS晶体管额定雪崩能量 [PowerMOS transistor Avalanche energy rated]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 61 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

额定雪崩能量

特点

•额定重复性雪崩

•快速开关

•高的热循环性能

•低热阻

IRF730

符号

快速参考数据

DSS

= 400 V

= 7.2 A

DS （ ON）

≤

Ω

概述

N沟道，增强模式

场效应

动力

晶体管，

用于在离线使用切换

模式电源， T.V.和

电脑显示器电源，

直流以直流转换器，电机控制

电路和通用

开关应用。

该IRF730在所提供的

SOT78 （ TO220AB ）常规

引线封装。

钉扎

针

TAB

门

漏

来源

漏

描述

SOT78 （ TO220AB ）

TAB

1 23

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

DSS

DGR

, T

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

工作结

存储温度范围

条件

= 25 °C至150°C

= 25 °C至150°C ; ř

= 20 kΩ

= 25 ℃; V

= 10 V

= 100℃ ; V

= 10 V

= 25 ˚C

分钟。

- 55

马克斯。

400

7.2

4.6

125

150

单位

˚C

雪崩能量极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

非重复性雪崩

能源

条件

分钟。

马克斯。

290

单位

非钳位感性负载时，我

= 4.8 A;

= 0.23毫秒;牛逼

雪崩= 25之前;

≤

50 V ; ř

= 50

Ω;

= 10 V ;参考

图： 17

重复性雪崩能量

= 7.2 ;吨

= 2.5

µs;

之前

雪崩= 25 ; ř

= 50

Ω;

= 10 V;

参阅图18

重复和不重复

雪崩电流

, I

9.4

7.2

限制T的脉冲宽度和重复频率

马克斯。

1999年3月

启1.000

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