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HEF4094BT653 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HEF4094BT653
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内容描述: 8级移位和商店注册启示录11 ???? 2013年8月29日 [8-stage shift-and-store register Rev. 11 — 29 August 2013]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 204 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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恩智浦半导体
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储寄存器
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考V
SS
= 0V (接地) 。
符号
V
DD
I
IK
V
I
I
OK
I
I / O
I
DD
T
英镑
T
AMB
P
合计
P
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输入/输出电流
电源电流
储存温度
环境温度
总功耗
功耗
条件
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
DD
+ 0.5 V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
DD
+ 0.5 V
0.5
-
0.5
-
-
-
65
40
最大
+18
10
V
DD
+ 0.5
10
10
50
+150
+125
750
500
100
单位
V
mA
V
mA
mA
mA
C
C
mW
mW
mW
DIP16
SO16 , SSOP16和TSSOP16
每路输出
-
-
-
对于DIP16封装:以上牛逼
AMB
= 70
C,
P
合计
减额直线为12毫瓦/ K 。
对于SO16封装:P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
C.
对于(T ) SSOP16封装:P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
C.
8.推荐工作条件
表5 。
符号
V
DD
V
I
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
在自由空气
V
DD
= 5 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 15 V
条件
3
0
40
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
15
V
DD
+125
3.75
0.5
0.08
单位
V
V
C
微秒/ V
微秒/ V
微秒/ V
HEF4094B
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