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HEF4093BT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HEF4093BT
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内容描述: FBQuad二输入NAND施密特触发器 [FBQuad 2-input NAND Schmitt trigger]
分类和应用: 栅极触发器逻辑集成电路光电二极管
文件页数/大小: 15 页 / 158 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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恩智浦半导体
HEF4093B
四2输入与非施密特触发器
11.动态特性
表7中。
动态特性
T
AMB
= 25
C;
C
L
= 50 pF的;吨
r
= t
f
20纳秒;波的形式看
测试电路见
除非另有规定ED 。
符号参数
t
PHL
前高后低
传播延迟
条件
Na或NB到纽约
V
DD
5V
10 V
15 V
t
PLH
从低到高
传播延迟
Na或NB到纽约
5V
10 V
15 V
t
THL
高至低输出
转换时间
纽约到低
5V
10 V
15 V
t
TLH
从低到高输出
转换时间
Na或NB到
5V
10 V
15 V
[1]
外推公式
63 NS + ( 0.55纳秒/ PF )C
L
29 NS + ( 0.23纳秒/ PF )C
L
22 NS + ( 0.16纳秒/ PF )C
L
58 NS + ( 0.55纳秒/ PF )C
L
29 NS + ( 0.23纳秒/ PF )C
L
22 NS + ( 0.16纳秒/ PF )C
L
10纳秒+ ( 1.00纳秒/ PF )C
L
9 NS + ( 0.42纳秒/ PF )C
L
6 NS + ( 0.28纳秒/ PF )C
L
10纳秒+ ( 1.00纳秒/ PF )C
L
9 NS + ( 0.42纳秒/ PF )C
L
6 NS + ( 0.28纳秒/ PF )C
L
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
90
40
30
85
40
30
60
30
20
60
30
20
最大
185
80
60
170
80
60
120
60
40
120
60
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
的传播延迟和输出转变时间典型值可以(来计算外推式C
L
单位为pF ) 。
表8 。
动态功耗
V
SS
= 0 V ;牛逼
r
= t
f
20纳秒;牛逼
AMB
= 25
C.
符号参数
P
D
动态功耗
耗散
V
DD
5V
10 V
15 V
典型配方
P
D
= 1300
f
i
+
(f
o
C
L
)
V
DD2
(W)
P
D
= 6400
f
i
+
(f
o
C
L
)
V
DD2
(W)
P
D
= 18700
f
i
+
(f
o
C
L
)
V
DD2
(W)
其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
(f
o
C
L
)=输出的总和;
V
DD
在五=电源电压
HEF4093B
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产品数据表
启8 - 2011年11月21日
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