BU508AF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BU508AF
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内容描述：	硅扩散型功率晶体管 [Silicon Diffused Power Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小：	7 页 / 64 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BU508AF

隔离限值&特性

= 25 C除非另有说明

符号

ISOL

参数

所有重复峰值电压

三个端子的外部

散热器

条件

相对湿度

≤

65 ％ ;干净无尘

分钟。

典型值。

马克斯。

2500

单位

ISOL

电容从T2到外部F = 1 MHz的

散热器

静态特性

= 25 C除非另有说明

符号

CES

EBO

CEOsus

CESAT

BESAT

参数

集电极截止电流

条件

分钟。

700

典型值。

马克斯。

1.0

2.0

1.0

1.1

单位

= 0 V; V

= V

CESMmax

= 0 V; V

= V

CESMmax

;

= 125 ˚C

发射极截止电流

= 6.0 V ;我

= 0 A

集电极 - 发射极电压维持我

= 0 ;我

= 100毫安;

L = 25毫亨

集电极 - 发射极饱和电压我

= 4.5 A;我

= 1.6 A

基射极饱和电压

= 4.5 A;我

= 2 A

直流电流增益

= 100毫安; V

= 5 V

动态特性

= 25 C除非另有说明

符号

参数

跃迁频率在f = 5兆赫

集电极电容在f = 1MHz的

开关时间（ 16 kHz的行

偏转电路）

关闭存储时间

关断下降时间

条件

= 0.1 A; V

= 5 V

= 10 V

CSAT

= 4.5 A ，L

1毫亨; ç

= 4 nF的

B（完）

= 1.4 A; L

= 6

µH;

-V

= -4 V;

-I

= 2.25 A

典型值。

125

马克斯。

单位

兆赫

6.5

0.7

µs

测量正弦半波电压（波形记录器）。

1998年7月

启1.200

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