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BU508AF 参数 Datasheet PDF下载

BU508AF图片预览
型号: BU508AF
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内容描述: 硅扩散型功率晶体管 [Silicon Diffused Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 7 页 / 64 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU508AF
概述
高电压,在一个完全隔离SOT199信封高速切换npn型晶体管,主要用于在使用中
的彩色电视接收机的水平偏转电路。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
4.5
0.7
马克斯。
1500
700
8
15
34
1.0
-
-
单位
V
V
A
A
W
V
A
µs
T
hs
25 ˚C
I
C
= 4.5 A;我
B
= 1.6 A
F = 16千赫
I
CSAT
= 4.5 A; F = 16kHz的
钉扎 - SOT199
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
引脚配置
符号
c
b
1
2
3
孤立的情况下,
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值( IEC 134 )
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
基极电流(DC)的
基极电流峰值
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
马克斯。
1500
700
8
15
4
6
34
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
W
˚C
˚C
T
hs
25 ˚C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J- HS
R
日J-一
参数
结到散热器
结到散热器
结到环境
条件
无散热化合物
与复合散热器
在自由空气
典型值。
-
-
35
马克斯。
3.7
2.8
-
单位
K / W
K / W
K / W
1998年7月
1
启1.200