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    BSS84 参数 Datasheet PDF下载

    BSS84图片预览
    型号： BSS84
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 [P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 12 页 / 93 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第9页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    P沟道增强模式
    垂直的D- MOS晶体管
    极限值
    按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
    符号
    V
    DS
    V
    GSO
    I
    D
    I
    DM
    P
    合计
    T
    英镑
    T
    j
    参数
    漏极 - 源极电压（直流）
    栅极 - 源极电压（直流）
    漏电流（ DC ）
    峰值漏极电流
    总功耗
    储存温度
    工作结温
    T
    AMB
    ≤
    25
    °C;
    注1
    漏极开路
    条件
    −
    −
    −
    −
    −
    −65
    −
    分钟。
    马克斯。
    −50
    ±20
    −130
    −520
    250
    +150
    150
    BSS84
    单位
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    °C
    °C
    热特性
    符号
    R
    日J-一
    参数
    从结点到环境的热阻
    条件
    注1
    价值
    500
    单位
    K / W
    需要注意的限制值和热特性
    1.装置安装在一个印刷电路板。
    特征
    T
    j
    = 25
    °C
    除非另有规定ED 。
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    gsth
    I
    DSS
    参数
    漏源击穿电压
    门源阈值电压
    漏极 - 源极漏电流
    条件
    V
    GS
    = 0; I
    D
    =
    −10 µA
    V
    DS
    = V
    GS
    ; I
    D
    =
    −1
    mA
    V
    GS
    = 0; V
    DS
    =
    −40
    V
    V
    GS
    = 0; V
    DS
    =
    −50
    V
    V
    GS
    = 0; V
    DS
    =
    −50
    V ;牛逼
    j
    = 125
    °C
    I
    GSS
    R
    DSON
    y
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    on
    t
    关闭
    栅极漏电流
    漏源导通电阻
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    V
    DS
    = 0; V
    GS
    =
    ±20
    V
    V
    GS
    =
    −10
    V ;我
    D
    =
    −130
    mA
    V
    DS
    =
    −25
    V ;我
    D
    =
    −130
    mA
    V
    GS
    = 0; V
    DS
    =
    −25
    V ; F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0; V
    DS
    =
    −25
    V ; F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0; V
    DS
    =
    −25
    V ; F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0到
    −10
    V; V
    DD
    =
    −40
    V;
    I
    D
    =
    −200
    mA
    V
    GS
    =
    −10
    为0 V ; V
    DD
    =
    −40
    V;
    I
    D
    =
    −200
    mA
    分钟。
    −50
    −0.8
    −
    −
    −
    −
    −
    50
    −
    −
    −
    −
    −
    典型值。
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    25
    15
    3.5
    马克斯。
    −
    −2
    −100
    −10
    −60
    ±10
    10
    −
    45
    25
    12
    −
    −
    单位
    V
    V
    nA
    µA
    µA
    nA
    Ω
    mS
    pF
    pF
    pF
    开关时间
    （参见图2和3）
    开启时间
    打开-O FF时间
    3
    7
    ns
    ns
    1997年6月18日
    3

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