欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BSS84 参数 Datasheet PDF下载

BSS84图片预览
型号: BSS84
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: P沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 [P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 12 页 / 93 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第9页  
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
特点
低阈值电压
直接连接C-MOS , TTL等。
高速开关
无二次击穿。
应用
线电流断续的电话机
继电器,高速线路变压器驱动程序。
描述
P沟道增强型垂直的D- MOS晶体管
采用SOT23 SMD封装。
小心
该器件采用防静电包装中提供。
栅源输入必须加以保护,防止静电
运输或装卸过程中排出。
快速参考数据
符号
V
DS
V
GSO
V
gsth
I
D
R
DSON
P
合计
参数
漏极 - 源极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
门源阈值电压
漏电流( DC )
漏源导通电阻
总功耗
I
D
=
−130
毫安; V
GS
=
−10
V
T
AMB
25
°C
漏极开路
I
D
=
−1
毫安; V
DS
= V
GS
条件
−0.8
分钟。
标识代码:
SP
g
手册, halfpage
BSS84
钉扎 - SOT23
1
2
3
符号
g
s
d
描述
来源
3
d
s
1
顶视图
2
MAM188
Fig.1简化外形和符号。
马克斯。
−50
±20
−2
−130
10
250
单位
V
V
V
mA
mW
1997年6月18日
2