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型号: BSS138BKW
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内容描述: 60 V , 320毫安N沟道沟槽MOSFET [60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 16 页 / 864 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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恩智浦半导体
BSS138BKW
60 V , 320毫安N沟道沟槽MOSFET
10
I
D
(A)
1
aaa-000173
(1)
10
-1
(2)
(3)
(4)
(5)
10
-2
10
-3
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
I
DM
是一个单一的脉冲
(1) t
p
= 1毫秒
(2) t
p
= 10毫秒
(3) t
p
= 100毫秒
(4 )直流;牛逼
sp
= 25 °C
( 5 )直流;牛逼
AMB
= 25°C ; 1厘米
2
漏装垫片
图3 。
安全工作区;结到环境;连续和峰值漏极电流为漏 - 源功能
电压
6.热特性
表6 。
符号
R
号(j -a)的
R
日(J -SP )
热特性
参数
条件
-
-
-
典型值
415
350
-
最大
480
400
150
单位
K / W
K / W
K / W
从结点到环境的热阻在自由空气
从结热阻焊接
[1]
[2]
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡,安装垫排水1厘米
2
.
BSS138BKW
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产品数据表
第1版 - 2011年8月12日
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