BSS123 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS123
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内容描述：	N沟道晶体管的TrenchMOS [N-channel TrenchMOS transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 29 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS ™晶体管

逻辑电平FET

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

（ BR ） DSS

GS （ TO ）

DS （ ON）

DSS

GSS

关闭

国际空间站

OSS

RSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

正向跨导

条件

= 0 V ;我

= 10

µA

= V

; I

= 1毫安

= 10 V ;我

= 120毫安

= 25 V ;我

= 120毫安

分钟。

100

= 0 V; V

= 25 V ; F = 1 MHz的

BSS123

典型值。马克斯。单位

130

3.5

350

2.8

100

Ω

零栅压漏

= 60 V; V

= 0 V

当前

门源漏电流V

±20

V; V

= 0 V

开启时间

打开-O FF时间

输入电容

输出电容

反馈电容

= 50 V ; ř

= 250

Ω;

= 10 V;

= 50

Ω;

阻性负载

2000年8月

启1.000

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