BSS123 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS123
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内容描述：	N沟道晶体管的TrenchMOS [N-channel TrenchMOS transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 29 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS ™晶体管

逻辑电平FET

特点

•

“海沟”

技术

•极快的切换

•兼容逻辑电平

•超小型表面贴装

包

BSS123

符号

快速参考数据

DSS

= 100 V

= 150毫安

DS （ ON）

≤

Ω

= 10 V)

概述

N沟道增强模式

在塑料的场效应晶体管

信封

运用

“海沟”

技术。

应用： -

•继电器驱动器

•高速线路驱动器

•电话铃声

该BSS123在所提供的

SOT23

超小型

表面

安装包。

钉扎

针

门

来源

漏

描述

SOT23

顶视图

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

DSS

DGR

, T

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

工作结

储存温度

条件

= 25 °C至150°C

= 25 °C至150°C ; ř

= 20 kΩ

= 25 ˚C

分钟。

- 55

马克斯。

100

150

600

0.25

150

单位

˚C

热阻

符号参数

日J-一

热阻结

到环境

条件

表面安装在FR4板

典型值。

500

马克斯。

单位

K / W

2000年8月

启1.000

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