BFG135 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BFG135
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内容描述：	NPN 7GHz的宽带晶体管 [NPN 7GHz wideband transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	12 页 / 111 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 7GHz的宽带晶体管

热特性

符号

第j个-S

记

1. T

是在集电极片的焊接点的温度。

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

参数

集电极截止电流

直流电流增益

集电极电容

发射极电容

反馈电容

跃迁频率

最大功率单侧

收益

条件

= 0; V

= 10 V

= 100毫安; V

= 10 V

= i

= 0; V

= 10 V ; F = 1 MHz的

= i

= 0; V

= 0.5 V ; F = 1 MHz的

= 0; V

= 10 V ; F = 1 MHz的

= 100毫安; V

= 10 V ; F = 1千兆赫;

AMB

= 25

°C

= 100毫安; V

= 10 V;

F = 500 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

= 100毫安; V

= 10 V;

F = 800 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

输出电压

二阶互调

失真

注1

注2

= 90毫安; V

= 10 V;

= 50 dBmV的;牛逼

AMB

= 25

°C;

的（p + q）的

= 450 MHz的;

= 50 MHz的; ˚F

= 400兆赫

= 90毫安; V

= 10 V;

= 50 dBmV的;牛逼

AMB

= 25

°C;

的（p + q）的

= 810 MHz的;

= 250 MHz的; ˚F

= 560兆赫

笔记

1. d

−60

分贝（ DIN 45004B ） ;我

= 100毫安; V

= 10 V ; ř

= 75

Ω;

AMB

= 25

°C;

= V

为D

−60

分贝; ˚F

= 445.25兆赫;

= V

−6

分贝; ˚F

= 453.25兆赫;

= V

−6

分贝; ˚F

= 455.25兆赫;

在F量度

第（p +的q r）的

= 443.25兆赫。

2. d

−60

分贝（ DIN 45004B ） ;我

= 100毫安; V

= 10 V ; ř

= 75

Ω;

AMB

= 25

°C;

= V

为D

−60

分贝; ˚F

= 795.25兆赫;

= V

−6

分贝; ˚F

= 803.25兆赫;

= V

−6

分贝; ˚F

= 805.25兆赫;

在F量度

第（p +的q r）的

= 793.25兆赫。

分钟。

−

典型值。

−

130

1.2

900

850

−58

参数

热阻结到焊接

点

条件

最多至T

= 145

°C

（注1 ）

BFG135

热

阻力

30 K / W

马克斯。

−

单位

µA

GHz的

−

−53

−

1995年9月13日

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