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    BFG135 参数 Datasheet PDF下载

    BFG135图片预览
    型号： BFG135
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN 7GHz的宽带晶体管 [NPN 7GHz wideband transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 12 页 / 111 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BFG135的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BFG135的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BFG135的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BFG135的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BFG135的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BFG135的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BFG135的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BFG135的Datasheet PDF文件第9页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    NPN 7GHz的宽带晶体管
    描述
    NPN硅平面外延型晶体管
    在一个塑料SOT223信封
    用于宽带放大器
    应用程序。小发射器
    结构，集成
    发射极镇流电阻，保证
    高输出电压能力，在
    低失真水平。
    的有源区的分布
    在器件的表面给出
    极好的温度分布。
    钉扎
    针
    1
    2
    3
    4
    BASE
    辐射源
    集热器
    描述
    辐射源
    AGE
    BFG135
    4
    1
    顶视图
    2
    3
    MSB002 - 1
    图1 SOT223 。
    快速参考数据
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    I
    C
    P
    合计
    h
    FE
    f
    T
    G
    UM
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    DC集电极电流
    总功耗
    直流电流增益
    跃迁频率
    最大功率单侧
    收益
    最多至T
    s
    = 145
    °C
    （注1 ）
    I
    C
    = 100毫安; V
    CE
    = 10 V ;牛逼
    j
    = 25
    °C
    I
    C
    = 100毫安; V
    CE
    = 10 V ; F = 1千兆赫;
    T
    AMB
    = 25
    °C
    I
    C
    = 100毫安; V
    CE
    = 10 V ; F = 500 MHz的;
    T
    AMB
    = 25
    °C
    I
    C
    = 100毫安; V
    CE
    = 10 V ; F = 800 MHz的;
    T
    AMB
    = 25
    °C
    V
    o
    输出电压
    开基
    条件
    发射极开路
    −
    −
    −
    −
    80
    −
    −
    −
    分钟。
    −
    −
    −
    −
    130
    7
    16
    12
    850
    典型值。
    马克斯。
    25
    15
    150
    1
    −
    −
    −
    −
    −
    GHz的
    dB
    dB
    mV
    单位
    V
    V
    mA
    W
    d
    im
    =
    −60
    分贝;我
    C
    = 100毫安; V
    CE
    = 10 V;
    −
    R
    L
    = 75
    Ω;
    T
    AMB
    = 25
    °C;
    f
    第（p +的q r）的
    = 793.25兆赫
    极限值
    按照绝对最大系统（IEC 134）。
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    合计
    T
    英镑
    T
    j
    记
    1. T
    s
    是在集电极片的焊接点的温度。
    1995年9月13日
    2
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    DC集电极电流
    总功耗
    储存温度
    结温
    最多至T
    s
    = 145
    °C
    （注1 ）
    发射极开路
    开基
    集电极开路
    条件
    −
    −
    −
    −
    −
    −65
    −
    分钟。
    马克斯。
    25
    15
    2
    150
    1
    150
    175
    单位
    V
    V
    V
    mA
    W
    °C
    °C

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