飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
BCP51 ; BCP52 ; BCP53
条件
注1
价值
95
14
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
−30
V
I
E
= 0; V
CB
=
−30
V ;牛逼
j
= 125
°C
I
C
= 0; V
EB
=
−5
V
V
CE
=
−2
V ;见图2
I
C
=
−5
mA
I
C
=
−150
mA
I
C
=
−500
mA
h
FE
直流电流增益
BCP53-10
BCP51-16 ; BCP52-16 ; BCP53-16
V
CESAT
V
BE
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
I
C
=
−500
毫安;我
B
=
−50
mA
I
C
=
−500
毫安; V
CE
=
−2
V
I
C
=
−10
毫安; V
CE
=
−5
V;
F = 100 MHz的
I
C
= 150毫安; V
CE
=
−2
V ;见图2
63
100
−
−
−
−
−
−
−
115
160
250
−0.5
−1
−
V
V
兆赫
40
63
25
−
−
−
−
250
−
分钟。
−
−
−
典型值。马克斯。单位
−
−
−
−100
−10
−100
nA
µA
nA
1999年4月08
3
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
