飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
特点
•
大电流(最大1 A)
•
低电压(最大80 V)
•
中等功率(最大1.3瓦) 。
应用
•
音响,电话和汽车应用
•
厚和薄膜电路。
描述
在SOT223塑料PNP中功率晶体管
封装。 NPN补充: BCP54 , BCP55和BCP56 。
1
顶视图
手册, halfpage
BCP51 ; BCP52 ; BCP53
钉扎
针
1
2, 4
3
BASE
集热器
辐射源
描述
4
2, 4
1
3
2
3
MAM288
Fig.1简化外形( SOT223 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
BCP51
BCP52
BCP53
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BCP51
BCP52
BCP53
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板,单面铜,镀锡,集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件,请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
−
−
−
−
−
−
−
−
−65
−
−65
−45
−60
−80
−5
−1
−1.5
−0.2
1.3
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
−
−
−
−45
−60
−100
V
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年4月08
2