恩智浦半导体
BCP53 ; BCX53 ; BC53PA
80 V ，1 A PNP中功率晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
BCP53
单脉冲;
t
p
1毫秒
T
AMB
25
C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
1毫秒
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
100
80
5
1
2
0.3
0.3
单位
V
V
V
A
A
A
A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
65
0.65
1.00
1.35
0.50
0.95
1.35
0.42
0.83
1.10
0.81
1.65
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
C
C
C
BCX53
BC53PA
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ， 4层铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ， 4层铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
BCP53_BCX53_BC53PA
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产品数据表
启9 - 2011年10月19日
4 22
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
