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BAV199 参数 Datasheet PDF下载

BAV199图片预览
型号: BAV199
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内容描述: 低漏电双二极管 [Low-leakage double diode]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 8 页 / 57 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
低漏电双二极管
图形数据
BAV199
手册, halfpage
300
MLB756
手册, halfpage
300
MLB752 - 1
IF
(MA )
200
IF
(MA )
200
(1)
(2)
(3)
单二极管装
100
100
双二极管装
0
0
100
牛逼AMB (
o
C)
200
0
0
0.4
0.8
1.2
V F ( V)
1.6
(1) T
j
= 150
°C;
典型值。
(2) T
j
= 25
°C;
典型值。
(3) T
j
= 25
°C;
最大值。
设备安装在FR4印刷电路板。
Fig.2
允许的最大持续前进
电流作为环境的函数
温度。
Fig.3
正向电流为正向功能
电压;每个二极管。
手册,全页宽
10
2
MBG704
IFSM
(A)
10
1
10
−1
1
10
10
2
10
3
TP (微秒)
10
4
基于方波电流;牛逼
j
= 25
°C
前激增。
图4最大允许非重复峰值正向电流为每二极管脉冲持续时间的函数。
1999年5月11日
4