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BAV199图片预览
型号: BAV199
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内容描述: 低漏电双二极管 [Low-leakage double diode]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 8 页 / 57 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
低漏电双二极管
特点
塑料SMD封装
低漏电流:典型值。 3 pA的
转换时间:典型值。 0.8
µs
连续反向电压:
最大。 75 V
反向重复峰值电压:
最大。 85 V
重复峰值正向电流:
最大。 500毫安。
应用
低漏电流的应用
表面贴装电路。
描述
外延,中速切换,
采用小型SOT23塑料双二极管
SMD封装。该二极管
串联连接。
顶视图
手册中, 4列
BAV199
钉扎
1
2
3
阳极
阴极
阳极;阴极
描述
2
1
2
3
3
1
MAM107
标识代码:
JYP =香港制造; JYT =在马来西亚。
Fig.1简化外形( SOT23 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
每二极管
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
反向重复峰值电压
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向
当前
方波;牛逼
j
= 25
°C
前激增;
见图4
t
p
= 1
µs
t
p
= 1毫秒
t
p
= 1 s
P
合计
T
英镑
T
j
1.装置安装在FR4印刷电路板。
总功耗
储存温度
结温
T
AMB
= 25
°C;
注1
−65
4
1
0.5
250
+150
150
A
A
A
mW
°C
°C
单二极管装;注意1 ;见图2
双二极管装;注意1 ;见图2
85
75
160
140
500
V
V
mA
mA
mA
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
1999年5月11日
2