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    74HCT04D-Q100 参数 Datasheet PDF下载

    74HCT04D-Q100图片预览
    型号： 74HCT04D-Q100
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 六反相器 [Hex inverter]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 16 页 / 132 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号74HCT04D-Q100的Datasheet PDF文件第2页浏览型号74HCT04D-Q100的Datasheet PDF文件第3页浏览型号74HCT04D-Q100的Datasheet PDF文件第4页浏览型号74HCT04D-Q100的Datasheet PDF文件第5页浏览型号74HCT04D-Q100的Datasheet PDF文件第7页浏览型号74HCT04D-Q100的Datasheet PDF文件第8页浏览型号74HCT04D-Q100的Datasheet PDF文件第9页浏览型号74HCT04D-Q100的Datasheet PDF文件第10页  
    恩智浦半导体
    74HC04 -Q100 ; 74HCT04 -Q100
    六反相器
    表6 。
    静态特性
    - 续
    在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
    符号参数
    I
    CC
    I
    CC
    电源电流
    另外
    电源电流
    条件
    民
    V
    I
    = V
    CC
    或GND ;我
    O
    = 0 A;
    V
    CC
    = 5.5 V
    每个输入引脚;
    V
    I
    = V
    CC
    2.1 V ;我
    O
    = 0 A;
    其他输入在V
    CC
    或GND ;
    V
    CC
    = 4.5 V至5.5 V
    -
    -
    25
    C
    典型值
    -
    120
    最大
    2
    432
    40 C
    +85
    C 40 C
    +125
    C
    单位
    民
    -
    -
    最大
    20
    540
    民
    -
    -
    最大
    40
    590
    A
    A
    C
    I
    输入
    电容
    -
    3.5
    -
    -
    -
    -
    -
    pF
    10.动态特性
    表7中。
    动态特性
    GND = 0 V ; ç
    L
    = 50 pF的;对于负载电路见
    图7 。
    符号参数
    条件
    民
    74HC04-Q100
    t
    pd
    传播延迟nA至纽约;看
    图6
    V
    CC
    = 2.0 V
    V
    CC
    = 4.5 V
    V
    CC
    = 5.0 V ; ç
    L
    = 15 pF的
    V
    CC
    = 6.0 V
    t
    t
    转换时间
    SEE
    图6
    V
    CC
    = 2.0 V
    V
    CC
    = 4.5 V
    V
    CC
    = 6.0 V
    C
    PD
    功耗
    电容
    每包; V
    I
    = GND到V
    CC
    [3]
    [2]
    [1]
    25
    C
    典型值
    最大
    40 C
    +125
    C
    单位
    最大
    (85
    C)
    最大
    (125
    C)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    25
    9
    7
    7
    19
    7
    6
    21
    85
    17
    -
    14
    75
    15
    13
    -
    105
    21
    -
    18
    95
    19
    16
    -
    130
    26
    -
    22
    110
    22
    19
    -
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    pF
    74HCT04-Q100
    t
    pd
    传播延迟nA至纽约;看
    图6
    V
    CC
    = 4.5 V
    V
    CC
    = 5.0 V ; ç
    L
    = 15 pF的
    t
    t
    C
    PD
    转换时间
    功耗
    电容
    V
    CC
    = 4.5 V ;看
    图6
    每包;
    V
    I
    = GND到V
    CC
    1.5 V
    [2]
    [3]
    [1]
    -
    -
    -
    -
    10
    8
    7
    24
    19
    -
    15
    -
    24
    -
    19
    -
    29
    -
    22
    -
    ns
    ns
    ns
    pF
    [1]
    [2]
    [3]
    t
    pd
    是相同为T
    PHL
    和T
    PLH
    .
    t
    t
    是相同为T
    THL
    和T
    TLH
    .
    C
    PD
    被用于确定所述动态功耗（P
    D
    in
    W):
    P
    D
    = C
    PD
    V
    CC2
    f
    i
    N +
    (C
    L
    V
    CC2
    f
    o
    ）其中：
    f
    i
    =以MHz输入频率;
    f
    o
    =以MHz输出频率;
    C
    L
    =以pF输出负载电容;
    V
    CC
    在V =电源电压;
    74HC_HCT04_Q100
    本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
    © NXP B.V. 2013年保留所有权利。
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    第2版​​ - 2013年4月10日
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