飞利浦半导体
产品speci fi cation
双D- FL型IP- FL运算与置位和复位;
上升沿触发
特点
•
宽电源电压范围为2.0〜 6.0 V
•
对称的输出阻抗
•
高噪声抗扰度
•
低功耗
•
平衡传输延迟
•
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
74HC74 ; 74HCT74
概述
该74HC / HCT74是一个高速硅栅CMOS器件
并与低功耗肖特基TTL引脚兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT74是双正边沿触发的D型
触发器与个别数据（D）输入端，时钟（CP）的输入，
集（ SD ）和复位（ RD ）投入;里应外合
Q及输出。
置位和复位是低电平有效的异步输入
在时钟输入的，并独立地进行操作。信息
对输入的数据传送到Q输出端上的
低到高的时钟脉冲的过渡。在D输入
必须在一设定时间之前是稳定的低到高
时钟转换为可预见的操作。
在时钟输入端施密特触发器动作使得电路
高耐性，较慢的时钟上升和下降时间。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
NCP为NQ ， NQ
NSD到NQ ， NQ
NRD为NQ ， NQ
f
最大
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
µW).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于74HC74的条件是V
I
= GND到V
CC
.
为74HCT74的条件为V
I
= GND到V
CC
−
1.5 V.
最大时钟频率
输入电容
功率耗散电容每FL IP- FL运
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
14
15
16
76
3.5
24
15
18
18
59
3.5
29
ns
ns
ns
兆赫
pF
pF
HCT
单位
2003年07月10
2
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
