飞利浦半导体
产品speci fi cation
双D- FL型IP- FL运算与置位和复位;
上升沿触发
推荐工作条件
74HC74
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入兴衰
时
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
条件
分钟。
2.0
0
0
−40
−
−
−
典型值。
5.0
−
−
+25
−
6.0
−
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
1000
500
400
74HC74 ; 74HCT74
74HCT74
单位
分钟。
4.5
0
0
−40
−
−
−
典型值。
5.0
−
−
+25
−
6.0
−
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
500
500
500
V
V
V
°C
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.对于SO14封装： 70以上
°C
8毫瓦/ K线性降额。
对于SSOP14和TSSOP14封装： 60岁以上
°C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
°C
4.5毫瓦/ K线性降额。
对于DIP14封装： 70以上
°C
为12毫瓦/ K的线性降额。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
−40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
−0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V;
注1
V
O
＆ LT ;
−0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V;
注1
条件
−
−
分钟。
−0.5
马克斯。
+7.0
±20
±20
±25
±100
+150
500
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
单位
−0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
−
−
−65
−
2003年07月10
7
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
