恩智浦半导体
74HC125 ; 74HCT125
四缓冲器/线路驱动器;三态
5.2引脚说明
表2中。
符号
10E， 2OE ， 3Oe时，如图40E所示
1A, 2A, 3A, 4A
1Y, 2Y, 3Y, 4Y
GND
V
CC
引脚说明
针
1, 4, 10, 13
2, 5, 9, 12
3, 6, 8, 11
7
14
描述
输出使能输入（低电平有效）
数据输入
数据输出
接地（ 0 V ）
电源电压
6.功能描述
表3中。
控制
诺埃
L
H
[1]
功能表
输入
nA
L
H
X
产量
nY
L
H
Z
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心; Z =高阻关断状态。
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP14封装
SO14和（ T） SSOP14
套餐
[1]
[2]
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到（V
CC
+ 0.5 V)
民
0.5
-
-
-
-
-
65
-
-
最大
+7
20
20
35
+70
70
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于DIP14封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
C.
对于SO14封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
C.
对于（T ） SSOP14封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
C.
74HC_HCT125
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第4版 - 2013年1月10日
3 17
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
