飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
推荐工作条件
74HC04
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
−40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
−
−
−
典型值。
5.0
−
−
+25
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
74HC04 ; 74HCT04
74HCT04
单位
分钟。
4.5
0
0
−40
典型值。
5.0
−
−
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
输入上升和下降时间
−
6.0
−
1000
500
400
−
−
−
−
6.0
−
−
500
−
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或汇
当前
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
DIP14封装
其他包
笔记
1.对于DIP14封装： 70以上
°C
为12毫瓦/ K的线性降额。
2.对于SO14封装： 70以上
°C
8毫瓦/ K线性降额。
对于SSOP14和TSSOP14封装： 60岁以上
°C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
°C
4.5毫瓦/ K线性降额。
T
AMB
=
−40
+125
°C;
注1
T
AMB
=
−40
+125
°C;
注2
−
−
750
500
mW
mW
V
I
＆ LT ;
−0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
−0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
−0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
−
−
−
−
−65
分钟。
−0.5
马克斯。
+7.0
±20
±20
±25
±50
+150
V
mA
mA
mA
mA
°C
单位
2003年07月23
5
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
