飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
特点
•
符合JEDEC标准没有。 8-1A
•
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
•
从指定的
−40
+85
°C
和
−40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
描述
74HC04 ; 74HCT04
该74HC / HCT04是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。该74HC / HCT04提供六反相
缓冲区。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
µW).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于74HC04 ：条件是V
I
= GND到V
CC
.
为74HCT04 ：所述条件为V
I
= GND到V
CC
−
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
nA
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
产量
nY
H
L
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
每门功耗电容注1和2
条件
HC04
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
7
3.5
21
8
3.5
24
HCT04
ns
pF
pF
单位
2003年07月23
2
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
