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型号: 1PS66SB63
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内容描述: 5 V时为20 mA的低镉肖特基势垒二极管 [5 V, 20 mA low Cd Schottky barrier diodes]
分类和应用: 微波混频二极管光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 52 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
1PS66SB63 ; 1PS79SB63
5 V时为20 mA低C
d
肖特基势垒二极管
5.极限值
表6:
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
R
I
F
T
j
T
AMB
T
英镑
连续反向电压
连续正向电流
结温
环境温度
储存温度
条件
-
-
-
−65
−65
最大
5
20
125
+125
+150
单位
V
mA
°C
°C
°C
6.热特性
表7:
符号
R
号(j -a)的
热特性
参数
条件
典型值
最大
单位
从在自由空气中的热阻
结到环境
SOT666
SOD523
-
-
-
-
700
450
K / W
K / W
[1]
为肖特基势垒二极管的热失控,必须考虑,因为在一些应用中,相反的
功率损耗P
R
是的总功率损耗显着的部分。列线图,用于确定反向
功率损耗P
R
F( AV )
评级将根据要求提供。
请参考SOT666标准安装条件。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
请参考SOD523 ( SC - 79 )标准安装条件。
[2]
[3]
[4]
7.特点
表8:
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
条件
SEE
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
R
反向电流
SEE
V
R
= 1 V
V
R
= 5 V
C
d
L
s
[1]
-
-
-
-
-
-
典型值
160
240
0.4
-
0.35
0.6
最大
200
300
1
50
0.5
-
单位
mV
mV
µA
µA
pF
nH
二极管
电容
串联电感
V
R
= 0 V ; F = 1兆赫;
SEE
脉冲测试:吨
p
300
µs; δ ≤
0.02.
9397 750 13846
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牧师02 - 2004年12月3日
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