1N5819 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N5819
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内容描述：	肖特基势垒二极管 [Schottky barrier diodes]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	9 页 / 41 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒二极管

1N5817; 1N5818; 1N5819

手册， halfpage

200

MBG434

手册， halfpage

0.20

MBG435

( C)

150

VRWM

= 0.2

(W)

0.15

VRWM

= 0.5

VRWM

= 0.2

100

VRWM

= 0.5

0.10

0.05

VR （ V）

Fig.6

1N5817 。最大允许结

温度作为反向电压的函数;

日J-一

= 100 K / W 。

Fig.7

1N5817 。反向功率耗散为

反向电压（最大值）的功能;

日J-一

= 100 K / W 。

手册， halfpage

200

MBG432

手册， halfpage

0.20

MBG437

( C)

150

VRWM

= 0.2

(W)

0.15

VRWM

= 0.5

VRWM

= 0.2

100

0.10

VRWM

= 0.5

0.05

VR （ V）

Fig.8

1N5818 。最大允许结

温度作为反向电压的函数;

日J-一

= 100 K / W 。

Fig.9

1N5818 。反向功率耗散为

反向电压（最大值）的功能;

日J-一

= 100 K / W 。

1996年5月3日

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