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1N5819 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 1N5819
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内容描述: 肖特基势垒二极管 [Schottky barrier diodes]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 9 页 / 41 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
R
1N5817
1N5818
1N5819
V
RSM
非重复性峰值反向电压
1N5817
1N5818
1N5819
V
RRM
反向重复峰值电压
1N5817
1N5818
1N5819
V
RWM
峰值反向工作电压
1N5817
1N5818
1N5819
I
F( AV )
I
FSM
平均正向电流
非重复峰值正向电流
参数
连续反向电压
1N5817; 1N5818; 1N5819
条件
T
AMB
= 55
°C;
R
日J-一
= 100 K / W ;
注意1 ; V
R(当量)
= 0.2 V ;注意2
T = 8.3 ms半正弦波;
JEDEC的方法;
T
j
= T
j max的情况
V :暴涨前
R
= 0
分钟。
马克斯。
20
30
40
24
36
48
20
30
40
20
30
40
1
25
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
单位
T
英镑
T
j
笔记
储存温度
结温
−65
+175
125
°C
°C
1.参考SOD81标准安装条件。
2.对于肖特基势垒二极管的热失控,必须考虑,因为在一些应用中,反向功率
损耗P
R
是的总功率损耗的显著一部分。列线图测定的反向功率损耗
P
R
F( AV )
评级将根据要求提供。
1996年5月3日
3