2.5.4
建立在数十年的创新微波和雷达
恩智浦建立在半导体技术和部件设计已有50多年的历史。欲了解更多
超过三十年，我们领导在提供高性能的射频技术，微波应用。
公司已建立了强势地位的微波射频小信号和功率晶体管领域
放大器具有最佳的一流的硅设备和加工技术。
我们是第一家半导体公司提供S波段
晶体管（ 2700 〜3500兆赫）的基础上横向扩散
金属 - 氧化物 - 硅（ LDMOS） 。为了进一步加强我们
面向未来的地位，我们目前正在开发
新型高功率和高带宽技术的基础上
氮化镓（GaN ）材料。
另一种使能技术是恩智浦的BICMOS工艺
多层式四子棋，这是多种型号可供选择以f
T
最多
200千兆赫，各专业以满足特定的小信号
RF应用。
该产品组合包括：
- 低噪声放大器（LNA ）
- 可变增益放大器（VGA ）
- 搅拌机
- 本地振荡器（LO）
- LO发生器
恩智浦现在还侧重于建筑和突破
已开发高度集成的产品，微波炉和
毫米波。一个例子是一个家族LO发生器的
7〜15 GHz，具有集成PLL和VCO 。另
例如在S波段的集成RF功率模块
（ 3.1-3.5 GHz）的为200 W.
射频小信号产品亮点
恩智浦突破性的QUBiC4X SiGe半导体制造： C工艺
技术，这些高度集成，校准，免费LO
发电机TFF1xxxHN是低功耗，低杂散解决方案
这简化了设计并降低总拥有成本。
特点
`
最低噪声LO发生器7〜 15 GHz范围内
`
最大功耗为各类典型330毫瓦
`
相位噪声符合IESS - 308 （通信卫星）
`
探明的QUBiC4X的SiGe ：C技术（ 120 GHz的˚F
T
PROCESS ）
`
外部环路滤波器
`
差分输入和输出
`
锁定检测输出
`
环路滤波器内部稳定电压基准
RF功率产品亮点
该BLS6G2933P -200是第一LDMOS基，业界
恩智浦生产的标准托盘。这种托盘提供超过
40 ％的效率，并且包括完整的偏置网络为
S波段应用。
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恩智浦半导体RF手册16
th
版
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
