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    PMBT3904/T3 参数 Datasheet PDF下载

    PMBT3904/T3图片预览
    型号： PMBT3904/T3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [TRANSISTOR 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal]
    分类和应用： 开关光电二极管晶体管
    文件页数/大小： 9 页 / 156 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号PMBT3904/T3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PMBT3904/T3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PMBT3904/T3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PMBT3904/T3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PMBT3904/T3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PMBT3904/T3的Datasheet PDF文件第7页浏览型号PMBT3904/T3的Datasheet PDF文件第8页浏览型号PMBT3904/T3的Datasheet PDF文件第9页  
    NXP Semiconductors
    Product data sheet
    NPN switching transistor
    PMBT3904
    handbook, halfpage
    1200
    MGU823
    MGU824
    VBE
    handbook, halfpage
    1200
    VBEsat
    (mV)
    (mV)
    1000
    (1)
    1000
    (1)
    (2)
    800
    (2)
    800
    600
    600
    (3)
    (3)
    400
    400
    200
    10
    −1
    1
    10
    10
    2
    I C (mA)
    10
    3
    200
    10
    −1
    1
    10
    10
    2
    I C (mA)
    10
    3
    V
    CE
    = 1 V.
    (1) T
    amb
    =
    −55 °C.
    (2) T
    amb
    = 25
    °C.
    (3) T
    amb
    = 150
    °C.
    I
    C
    /I
    B
    = 10.
    (1) T
    amb
    =
    −55 °C.
    (2) T
    amb
    = 25
    °C.
    (3) T
    amb
    = 150
    °C.
    Fig.4
    Base-emitter voltage as a function of
    collector current.
    Fig.5
    Base-emitter saturation voltage as a
    function of collector current.
    10
    3
    handbook, halfpage
    MGU825
    VCEsat
    (mV)
    (1)
    (2)
    (3)
    10
    2
    10
    10
    −1
    1
    10
    10
    2
    I C (mA)
    10
    3
    I
    C
    /I
    B
    = 10.
    (1) T
    amb
    = 150
    °C.
    (2) T
    amb
    = 25
    °C.
    (3) T
    amb
    =
    −55 °C.
    Fig.6
    Collector-emitter saturation voltage as a
    function of collector current.
    2004 Jan 12
    5

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